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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：H2Pak-2
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
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STH310N10F7-2 技术参数详情：
- 制造商产品型号：STH310N10F7-2
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：DeepGATE?, STripFET? VII
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：180A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.5 毫欧 @ 60A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：180nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：12800pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：315W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：H2Pak-2
- STH310N10F7-2优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
